Электротехнический интернет-журнал Electrik.info

"Электрик Инфо" - онлайн журнал про электричество. Теория и практика. Обучающие статьи, примеры, технические решения, схемы, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой.
 


Схемы подключения | Принципиальные схемы | Электроснабжение
Розетки и выключатели | Автоматы защиты | Кабель и провод | Монтаж электропроводки Ремонт электротехники | Молодому электрику

Электрик Инфо » Электрическая энергия в быту и на производстве » Практическая электроника » Управление затвором MOSFET и IGBT, затворный резистор, шунтирующий конденсатор, защита затвора
Количество просмотров: 40266
Комментарии к статье: 6


Управление затвором MOSFET и IGBT, затворный резистор, шунтирующий конденсатор, защита затвора


Проектируя силовую часть импульсного преобразователя или подобного устройства, где в качестве силового ключа будет выступать мощный IGBT или MOSFET транзистор, важно правильно рассчитать цепь управления затвором, особенно если речь идет об управлении полупроводниковым ключом на высокой скорости, характерной для рабочих частот от сотен килогерц до 1 МГц.

Давайте рассмотрим методику такого расчета, а для примера возьмем не утрачивающий популярности на протяжении без малого 20 лет полевой транзистор IRFP460, обладающий, как известно, довольно «тяжелым» затвором.

Допустим, нам он нужен в качестве ключа нижнего уровня (с управлением от уровня земли), который будет управляться при помощи специализированного драйвера UCC37322, так же довольно известного и по сей день востребованного по своему прямому назначению. А напряжение управления затвором примем равным 12 вольт.

Полевые транзисторы IRFP460

Пример расчета для рабочей частоты 1 МГц

Пусть рабочая частота проектируемого устройства составляет ровно 1 МГц, а управляющие импульсы имеют скважность 2 (коэффициент заполнения DC = 0.5). Теоретически это значит, что и рабочая длительность импульса, то есть продолжительность состояния когда ключ полностью открыт, должна на каждом цикле его работы составлять 500 нс.

Но на практике это время будет меньше, поскольку передний и задний фронты будут иметь не нулевую, а конечную длительность, обычно не более 100 нс. Это значит, что ключ будет полностью открыт в самом худшем случае на протяжении 300 нс, и здесь стоит задуматься над тем, а не уменьшить ли скважность… до 1,43, то есть может быть имеет смысл задать управляющим импульсам DC = 0,7. Однако это гипотетически худший вариант, так что на него пока опираться не станем.

Характеристики IRFP460

На деле длительность фронтов непосредственно на затворе будет определяться возможностями драйвера и реальной емкостью затвора силового транзистора. Из документации на классический транзистор IRFP460 нам известна зависимость полного заряда, подаваемого на его затвор, от напряжения на затворе относительно истока.

Мы видим, что при 12 вольтах на затворе полный его электрический заряд находится в районе 160 нКл. Но здесь же понятно, что заряд этот накапливается емкостью затвора нелинейно, так как в районе 4-5 вольт находится так называемое плато Миллера, где на емкость затвора начинает действовать еще и емкость сток-затвор. Поэтому в самом начале общая емкость затвора минимальна и заряд накапливается затвором с наибольшей скоростью, затем заряжается динамическая емкость Миллера, и после этого заряд затвора нарастает опять линейно, но медленнее чем в самом начале.

Затворный резистор и реальный фронт при открытии

Итого, ток в процессе заряда затвора нарастает далеко не по экспоненте, значит имеет смысл просто ограничить этот ток сверху предельным значением для драйвера UCC37322 при помощи затворного резистора. Поскольку для данного драйвера максимальный пиковый ток по документации составляет 9 ампер, то при 12 вольтах питающего напряжения минимальное значение затворного резистора по Закону Ома получается 1,333 Ом. Принимаем стандартное 1,5 Ом.

Затворный резистор и реальный фронт при открытии

Из документации на полевик IRFP460 известно, что при 7,5 вольтах между затвором и истоком, данный транзистор уже точно полностью открыт. Посчитаем усредненную емкость затвора, разделив заряд затвора при 7,5 вольтах на нем, на эти самые 7,5 вольт. Получим 110 нКл/7,5 = 14,5 нФ.

Эту емкость можно принять для оценки временных характеристик в переходном процессе заряда затвора от 12 вольтного драйвера через принятый нами затворный резистор номиналом 1,5 Ом. 7,5 вольт — это практически 63% от 12. Получается произведение R*C – есть как раз время фронта в процессе открытия нашего полевика - 22 нс. Неплохо. Резистор на 1,5 Ом в качестве затворного подходит.

Теперь выясним мощность необходимого затворного резистора. На данном резисторе при открытии и при закрытии транзистора будет рассеиваться энергия, равная энергии, накапливаемой в конденсаторе, образованным емкостью затвор — исток. То есть 14,5 нФ при 12 вольтах. Это CU2/2 = 1,044 мкДж при заряде затвора и столько же при его разряде, и так 1000000 раз в секунду (т. к. рабочая частота у нас по условию 1 МГц). Итого 2 Вт.

Выбираем резистор 1,5 Ом на 2 Вт в качестве затворного. Можно взять 2 штуки по 3 Ома в параллель, чтобы не сильно грелись. Кстати, из данного расчета получается, что и мощность, расходуемая на управление полевиком составит 2 Вт.

Шунтирующий конденсатор драйвера

Теперь нужно определиться с шунтирующим конденсатором. Данный конденсатор необходим для быстрой отдачи заряда через драйвер - на затвор полевика. Если в качестве такового использовать электролитический конденсатор большой емкости, то он создаст для импульсов тока столь высокой частоты малое сопротивление, через него будет течь слишком большой импульсный ток, что недопустимо для электролита. Поэтому параллельно электролиту всегда ставят пленочный конденсатор небольшой емкости. Он сможет легко и быстро отдавать заряд, перезаряжаться, при этом не будет перегреваться.

Шунтирующий конденсатор драйвера

Допустим, колебание напряжения на этом конденсаторе не должно составлять более 1% от напряжения питания драйвера 12 В. То есть должно выполняться условие U1-U2 <= 0,12 В. Мощность потребляемая драйвером 2 Вт, значит средний ток 0,166 А. Но пиковый ток составит 9 А. Среднее значение тока 4,5 А в течение 3*RC, то есть изменение напряжения на конденсаторе при 4,5 А за 66 нс должно быть не более 0,12 В.

Известно, что I = C*(U1-U2)/t. Значит C = It/(U1-U2). U1-U2 = 0,12 В, t = 66 нс, I = 4,5 А. Отсюда находим что Сmin = 2,5 мкф. Примем емкость пленочного шунтирующего конденсатора равной 3 мкф. Параллельно ему уже можно поставить танталовый или обычный электролитический на значительно большую емкость, чтобы драйверу было комфортнее работать.

Защита затвора полевика и выходного каскада драйвера диодами Шоттки

Защита затвора полевика и выходного каскада драйвера диодами Шоттки

При высоких рабочих частотах неизбежны емкостные наводки на затвор. Поэтому затвор, а также выход драйвера стоит защитить диодами Шоттки на предельное напряжение большее удвоенного напряжения питания драйвера.

Например 1N5822 – на максимальное обратное напряжение 40 вольт и ток 3А. Если напряжение на затворе в кокой-то момент превысит напряжение питания, заряд просто перетечет в шунтирующий конденсатор. В данных условиях напряжение на затворе не превысит выбранных для нашей схемы 12 вольт.

Смотрите также: Выбор драйвера для MOSFET (пример расчета по параметрам)

Популярные публикации:

Надеюсь, что эта статья была для вас полезной. Смотрите также другие статьи в категории Электрическая энергия в быту и на производстве » Практическая электроника

Подписывайтесь на канал в Telegram про электронику для профессионалов и любителей: Практическая электроника на каждый день



Поделитесь этой статьей с друзьями:


Другие статьи с сайта Электрик Инфо:

  • Выбор драйвера для MOSFET (пример расчета по параметрам)
  • Бутстрепный конденсатор в схеме управления полумостом
  • Драйвер полевого транзистора из дискретных компонентов
  • Управление полевым транзистором через оптопару
  • Как подобрать аналог транзистора
  • RCD-снаббер - принцип работы и пример расчета
  • Как проверить полевой транзистор
  • Полевые транзисторы: принцип действия, схемы, режимы работы и моделирование
  • Виды транзисторов и их применение
  • Почему горят транзисторы
  • Категория: Электрическая энергия в быту и на производстве » Практическая электроника

    Принцип работы транзистора, Силовая электроника

      Комментарии:

    #1 написал: Александр |

    Отличная статья, лаконично и по делу

      Комментарии:

    #2 написал: SeregaMegavolt |

    Статья прекрасно подходит для тех, кто хочет начать углублятся в этом направлении.

      Комментарии:

    #3 написал: Serj |

    А как посчитан пиковый ток?

      Комментарии:

    #4 написал: Дмитрий |

    Доброго дня. Диоды Шоттки не дадут подняться потенциалу затвора выше 0,5 В. Прибор становится неуправляемым, увы. Здесь уместны стабилитроны.

      Комментарии:

    #5 написал: Сергей |

    Дмитрий,

    Штоки ставится в антипараллель между затворном и плюсом шунтирующего конденсатора питания драйвера, поэтому потенциал затвора может расти до напряжения обратного пробоя Шоттки (или драйвера), разве нет? А вот если это напряжение больше напряжения питания драйвера, излишек заряда. сливается в конденсатор. А стабилитрон наоборот ставится между затвором и землей, и его напряжение подбирается так чтобы не заряжался затвор выше него. В принципе, общем схемы защиты уместны, можно даже одновременно - я правильно понял?
      Комментарии:

    #6 написал: Котофей |

    Для управления затвором MOSFET или IGBT необходимо обеспечить подачу на затвор достаточного напряжения, чтобы открыть транзистор. Для этого обычно используется драйвер затвора, который обеспечивает необходимое напряжение и ток для управления транзистором. Драйвер затвора обычно состоит из нескольких элементов, таких как входной фильтр, схема управления, выходной каскад и схема защиты от короткого замыкания. Кроме того, для управления транзисторами MOSFET и IGBT можно использовать различные методы, такие как широтно-импульсная модуляция (ШИМ), частотно-импульсная модуляция (ЧИМ) и прямое управление током (DCM). Каждый из этих методов имеет свои преимущества и недостатки, и выбор метода управления зависит от конкретной задачи и требований к схеме.

    Присоединяйтесь к нам в социальных сетях:

    ВКонтакте | Facebook | Одноклассники | Электрик Инфо на Яндекс Дзен

     

    Популярные разделы сайта:

    Электрика дома  Электрообзоры  Энергосбережение
    Секреты электрика Источники света Делимся опытом
    Домашняя автоматика Электрика для начинающих
    Практическая электроника Электротехнические новинки
    Андрей Повный - все статьи автора



    Copyright © 2009-2024 Электрик Инфо - Electrik.info, Андрей Повный
    Вся информация на сайте предоставлена в ознакомительных и познавательных целях.
    За применение этой информации администрация сайта ответственности не несет.
    Перепечатка материалов сайта запрещена.